1/f Noise Characterization of Bilayer MoS 2 Field‐Effect Transistors on Paper with Inkjet‐Printed Contacts and hBN Dielectrics

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Link zu diesem Datensatz	https://d-nb.info/1234334356
Titel	1/f Noise Characterization of Bilayer MoS 2 Field‐Effect Transistors on Paper with Inkjet‐Printed Contacts and hBN Dielectrics
Person(en)	Pimpolari, Lorenzo (Verfasser) Calabrese, Gabriele (Verfasser) Conti, Silvia (Verfasser) Worsley, Robyn (Verfasser) Majee, Subimal (Verfasser) Polyushkin, Dmitry K. (Verfasser) Paur, Matthias (Verfasser) Casiraghi, Cinzia (Verfasser) Mueller, Thomas (Verfasser) Iannaccone, Giuseppe (Verfasser) Macucci, Massimo (Verfasser) Fiori, Gianluca (Verfasser)
Umfang/Format	Online-Ressource (pdf)
Persistent Identifier	URN: urn:nbn:de:101:1-2021052915223756351710 DOI: 10.1002/aelm.202100283
URL	https://doi.org/10.1002/aelm.202100283
Zeitliche Einordnung	Erscheinungsdatum: 29.05.2021
Sprache(n)	Englisch (eng)
Beziehungen	Enthalten in: Advanced electronic materials (29.05.2021. 8 S.)

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