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Ergebnis der Suche nach: tit all "Degradation induced by holes in Si3N4/AlGaN/GaN MIS HEMTs under off-state stress with UV light."
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| Link zu diesem Datensatz | https://d-nb.info/1278537287 |
| Titel | Degradation induced by holes in Si3N4/AlGaN/GaN MIS HEMTs under off-state stress with UV light / by Yilin Chen, Qing Zhu, Jiejie Zhu, Minhan Mi, Meng Zhang, Yuwei Zhou, Ziyue Zhao, Xiaohua Ma, Yue Hao |
| Person(en) |
Chen, Yilin (Verfasser) Zhu, Qing (Verfasser) Zhu, Jiejie (Verfasser) Mi, Minhan (Verfasser) Zhang, Meng (Verfasser) Zhou, Yuwei (Verfasser) Zhao, Ziyue (Verfasser) Ma, Xiaohua (Verfasser) Hao, Yue (Verfasser) |
| Organisation(en) | SpringerLink (Online service) (Sonstige) |
| Umfang/Format | Online-Ressource : online resource. |
| Persistent Identifier |
URN: urn:nbn:de:101:1-2023011821162410013683 DOI: 10.1007/s11432-021-3377-2 |
| URL | https://doi.org/10.1007/s11432-021-3377-2 |
| Zeitliche Einordnung | Erscheinungsdatum: 2022 |
| DDC-Notation | 621.381528 (maschinell ermittelte DDC-Kurznotation) |
| Sprache(n) | Englisch (eng) |
| Beziehungen | Enthalten in: Science China / Information sciences (Bd. 66, 28.10.2022, Nr. 2, date:2.2023: 1-7) |
| Sachgruppe(n) | 621.3 Elektrotechnik, Elektronik |
| Online-Zugriff | Archivobjekt öffnen |
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