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Ergebnis der Suche nach: tit all "Herstellung, Charakterisierung und Simulation von Germanium-p-Kanal-Tunneltransistoren"



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Art des Inhalts Hochschulschrift
Titel Herstellung, Charakterisierung und Simulation von Germanium-p-Kanal-Tunneltransistoren / Daniel Hähnel ; Betreuer: Jörg Schulze
Person(en) Hähnel, Daniel (Verfasser)
Schulze, Jörg (Akademischer Betreuer)
Verlag Stuttgart : Universitätsbibliothek der Universität Stuttgart
Zeitliche Einordnung Erscheinungsdatum: 2019
Umfang/Format Online-Ressource
Hochschulschrift Dissertation, Stuttgart, Universität Stuttgart, 2018
Persistent Identifier URN: urn:nbn:de:bsz:93-opus-ds-105385
DOI: 10.18419/opus-10521
URL (kostenfrei zugänglich)
Sprache(n) Deutsch (ger)
Schlagwörter Transistor* ; Germanium* ; Drain <Elektronik>* ; T-FET* ; MOS-FET* ; Halbleiter* (*maschinell ermittelt)
DDC-Notation 537.6226 (maschinell ermittelte DDC-Kurznotation)
Sachgruppe(n) 530 Physik

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