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| Link zu diesem Datensatz | https://d-nb.info/1220791199 |
| Art des Inhalts | Hochschulschrift |
| Titel | Study of gallium nitride high electron mobility transistors towards highly efficient and reliable power switching / Lars Heuken |
| Person(en) | Heuken, Lars (Verfasser) |
| Organisation(en) | Shaker Verlag (Verlag) |
| Ausgabe | [1. Auflage] |
| Verlag | Düren : Shaker Verlag |
| Zeitliche Einordnung | Erscheinungsdatum: 2020 |
| Umfang/Format | xvi, 132 Seiten : Illustrationen ; 21 cm, 225 g |
| Hochschulschrift | Dissertation, Universität Stuttgart, 2020 |
| ISBN/Einband/Preis |
978-3-8440-7716-2 Broschur : EUR 45.80 (DE), EUR 45.80 (AT), CHF 57.30 (freier Preis) 3-8440-7716-2 |
| EAN | 9783844077162 |
| Sprache(n) | Englisch (eng) |
| Beziehungen | Berichte aus der Halbleitertechnik |
| Schlagwörter | HEMT ; Galliumnitrid ; Zwischenschicht ; Leistungsschalter ; Zuverlässigkeit ; Effizienzsteigerung |
| DDC-Notation | 621.3815284 [DDC23ger] |
| Sachgruppe(n) | 621.3 Elektrotechnik, Elektronik |
| Weiterführende Informationen | Inhaltsverzeichnis |
| Frankfurt |
Signatur: 2021 AA 4343
Bereitstellung in Frankfurt |
| Leipzig |
Signatur: 2021 AA 17195
Bereitstellung in Leipzig |
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