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Artikel
Link zu diesem Datensatz https://d-nb.info/1282109650
Titel Substitutional p‐Type Doping in NbS 2 –MoS 2 Lateral Heterostructures Grown by MOCVD
Person(en) Wang, Zhenyu (Verfasser)
Tripathi, Mukesh (Verfasser)
Golsanamlou, Zahra (Verfasser)
Kumari, Poonam (Verfasser)
Lovarelli, Giuseppe (Verfasser)
Mazziotti, Fabrizio (Verfasser)
Logoteta, Demetrio (Verfasser)
Fiori, Gianluca (Verfasser)
Sementa, Luca (Verfasser)
Marega, Guilherme Migliato (Verfasser)
Ji, Hyun Goo (Verfasser)
Zhao, Yanfei (Verfasser)
Radenovic, Aleksandra (Verfasser)
Iannaccone, Giuseppe (Verfasser)
Fortunelli, Alessandro (Verfasser)
Kis, Andras (Verfasser)
Umfang/Format Online-Ressource (pdf)
Persistent Identifier URN: urn:nbn:de:101:1-2023022814281752845441
DOI: 10.1002/adma.202209371
URL https://doi.org/10.1002/adma.202209371
Zeitliche Einordnung Erscheinungsdatum: 28.02.2023
Sprache(n) Englisch (eng)
Beziehungen Enthalten in: Advanced materials (28.02.2023. 10 S.)

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