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Artikel
Link zu diesem Datensatz https://d-nb.info/1273152905
Titel Above 2000 V breakdown voltage at 600 K GaN‐on‐silicon high electron mobility transistors
Person(en) Herbecq, Nicolas (Verfasser)
Roch‐Jeune, Isabelle (Verfasser)
Linge, Astrid (Verfasser)
Zegaoui, Malek (Verfasser)
Jeannin, Pierre‐Olivier (Verfasser)
Rouger, Nicolas (Verfasser)
Medjdoub, Farid (Verfasser)
Umfang/Format Online-Ressource (pdf)
Persistent Identifier URN: urn:nbn:de:101:1-2022111906372390800759
DOI: 10.1002/pssa.201532572
URL https://doi.org/10.1002/pssa.201532572
Zeitliche Einordnung Erscheinungsdatum: 08.01.2016
Sprache(n) Englisch (eng)
Beziehungen Enthalten in: Physica status solidi / A / Applications and materials science (Bd. 213, 2016, Nr. 4: 873-877. 5 S.)

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