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Titel Annealing‐Free Ohmic Contacts to n ‐Type GaN via Hydrogen Plasma‐Assisted Atomic Layer Deposition of Sub‐Nanometer AlO x
Person(en) Christis, Maximilian (Verfasser)
Henning, Alex (Verfasser)
Bartl, Johannes D. (Verfasser)
Zeidler, Andreas (Verfasser)
Rieger, Bernhard (Verfasser)
Stutzmann, Martin (Verfasser)
Sharp, Ian D. (Verfasser)
Umfang/Format Online-Ressource (pdf)
Persistent Identifier URN: urn:nbn:de:101:1-2023120115535568684507
DOI: 10.1002/admi.202300758
URL https://doi.org/10.1002/admi.202300758
Zeitliche Einordnung Erscheinungsdatum: 01.12.2023
Sprache(n) Englisch (eng)
Beziehungen Enthalten in: Advanced materials interfaces (01.12.2023. 10 S.)

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