Katalog der Deutschen Nationalbibliothek
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| Link zu diesem Datensatz | https://d-nb.info/103278380X |
| Art des Inhalts | Hochschulschrift |
| Titel | The dangling-bond defect in silicon : insights into electronic and structural effects from first-principles calculations of the EPR-parameters / Gernot Pfanner |
| Person(en) | Pfanner, Gernot (Verfasser) |
| Zeitliche Einordnung | Erscheinungsdatum: 2012 |
| Umfang/Format | 117 S. : Ill., graph. Darst. ; 31 cm |
| Andere Ausgabe(n) | Erscheint auch als Online-Ausgabe: Pfanner, Gernot: The dangling-bond defect in silicon |
| Hochschulschrift | Paderborn, Univ., Diss., 2012 |
| Sprache(n) | Englisch (eng) |
| DDC-Notation | 537.6226 [DDC22ger] |
| Sachgruppe(n) | 530 Physik |
| Weiterführende Informationen | Inhaltsverzeichnis |
| Frankfurt |
Signatur: 2013 B 6846 Bestand: [Dieses Werk gibt es inhaltsgleich auch in digitaler Form.] Bereitstellung in Frankfurt |
| Leipzig |
Signatur: 2013 B 7796 Bestand: [Dieses Werk gibt es inhaltsgleich auch in digitaler Form.] Bereitstellung in Leipzig |
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