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Titel Analysis of a Direct-Bandgap GeSn-Based MQW Transistor Laser for Mid-Infrared Applications / by Rikmantra Basu, Jaspinder Kaur, Ajay K. Sharma
Person(en) Basu, Rikmantra (Verfasser)
Kaur, Jaspinder (Verfasser)
Sharma, Ajay K. (Verfasser)
Organisation(en) SpringerLink (Online service) (Sonstige)
Umfang/Format Online-Ressource : online resource.
Persistent Identifier URN: urn:nbn:de:101:1-2020012223143372569832
DOI: 10.1007/s11664-019-07418-w
URL https://doi.org/10.1007/s11664-019-07418-w
Zeitliche Einordnung Erscheinungsdatum: 2019
DDC-Notation 535.2 (maschinell ermittelte DDC-Kurznotation)
Sprache(n) Englisch (eng)
Beziehungen Enthalten in: Journal of electronic materials (Bd. 48, 16.7.2019, Nr. 10, date:10.2019: 6335-6346)
Sachgruppe(n) 530 Physik

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