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Titel Effects of graphene content on resistive switching for Au/poly(methyl methacrylate): reduced graphene oxide/heavily doped p-type Si devices / by Yow-Jon Lin, Chang-Lin Wu, Zun-Yuan Ke, Hsing-Cheng Chang
Person(en) Lin, Yow-Jon (Verfasser)
Wu, Chang-Lin (Verfasser)
Ke, Zun-Yuan (Verfasser)
Chang, Hsing-Cheng (Verfasser)
Organisation(en) SpringerLink (Online service) (Sonstige)
Umfang/Format Online-Ressource : online resource.
Persistent Identifier URN: urn:nbn:de:101:1-2020012323022681391192
DOI: 10.1007/s12648-019-01568-7
URL https://doi.org/10.1007/s12648-019-01568-7
Zeitliche Einordnung Erscheinungsdatum: 2019
DDC-Notation 530.4175 (maschinell ermittelte DDC-Kurznotation)
Sprache(n) Englisch (eng)
Beziehungen Enthalten in: Indian journal of physics (7.9.2019: 1-6)
Sachgruppe(n) 530 Physik

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