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Neuigkeiten Mittwoch, 19. November 2025: Die Deutsche Nationalbibliothek in Leipzig ist geschlossen.
 
 

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Titel Investigation of ionizing radiation mechanisms on HfO2-based ferroelectric thin-film memories with various configurations / by Wanli Zhang, Guangliang Wan, Yanrui Lin, Junxiong Leng, Hongfei Wei, Lian Cui, Guangzhao Wang, Yanhu Mao
Person(en) Zhang, Wanli (Verfasser)
Wan, Guangliang (Verfasser)
Lin, Yanrui (Verfasser)
Leng, Junxiong (Verfasser)
Wei, Hongfei (Verfasser)
Cui, Lian (Verfasser)
Wang, Guangzhao (Verfasser)
Mao, Yanhu (Verfasser)
Organisation(en) SpringerLink (Online service) (Sonstige)
Umfang/Format 1 Online-Ressource.
Persistent Identifier URN: urn:nbn:de:101:1-2405021328131.914203785013
DOI: 10.1007/s10854-024-12033-5
URL https://doi.org/10.1007/s10854-024-12033-5
Zeitliche Einordnung Erscheinungsdatum: 2024
DDC-Notation 537.2 (maschinell ermittelte DDC-Kurznotation)
Sprache(n) Englisch (eng)
Beziehungen Enthalten in: Journal of materials science / Materials in electronics (Bd. 35, 4.2.2024, Nr. 4, date:2.2024: 1-9)
Sachgruppe(n) 530 Physik

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