Katalog der Deutschen Nationalbibliothek
Ergebnis der Suche nach: idn=1328150844
|
|
|
| Link zu diesem Datensatz | https://d-nb.info/1328150844 |
| Titel | Boltzmann Switching MoS 2 Metal–Semiconductor Field‐Effect Transistors Enabled by Monolithic‐Oxide‐Gapped Metal Gates at the Schottky–Mott Limit |
| Person(en) |
Kim, Yeon Ho (Verfasser) Jiang, Wei (Verfasser) Lee, Donghun (Verfasser) Moon, Donghoon (Verfasser) Choi, Hyun‐Young (Verfasser) Shin, June‐Chul (Verfasser) Jeong, Yeonsu (Verfasser) Kim, Jong Chan (Verfasser) Lee, Jaeho (Verfasser) Huh, Woong (Verfasser) Han, Chang Yong (Verfasser) So, Jae‐Pil (Verfasser) Kim, Tae Soo (Verfasser) Kim, Seong Been (Verfasser) Koo, Hyun Cheol (Verfasser) Wang, Gunuk (Verfasser) Kang, Kibum (Verfasser) Park, Hong‐Gyu (Verfasser) Jeong, Hu Young (Verfasser) Im, Seongil (Verfasser) Lee, Gwan‐Hyoung (Verfasser) Low, Tony (Verfasser) Lee, Chul‐Ho (Verfasser) |
| Umfang/Format | Online-Ressource (pdf) |
| Persistent Identifier |
URN: urn:nbn:de:101:1-2405021411319.565292330204 DOI: 10.1002/adma.202314274 |
| URL | https://doi.org/10.1002/adma.202314274 |
| Zeitliche Einordnung | Erscheinungsdatum: 01.05.2024 |
| Sprache(n) | Englisch (eng) |
| Beziehungen | Enthalten in: Advanced materials (01.05.2024. 9 S.) |
| Online-Zugriff | Archivobjekt öffnen |

