Katalog der Deutschen Nationalbibliothek

Neuigkeiten Servicezeiten in Frankfurt am Main ab 1. Dezember 2025: Montag bis Freitag 9–18 Uhr und Samstag 10–16 Uhr
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Titel Impact of Noise and Interface Trap Charge on a Heterojunction Dual-Gate Vertical TFET Device / by Karthik Nasani, Brinda Bhowmick, Puspa Devi Pukhrambam
Person(en) Nasani, Karthik (Verfasser)
Bhowmick, Brinda (Verfasser)
Pukhrambam, Puspa Devi (Verfasser)
Organisation(en) SpringerLink (Online service) (Sonstige)
Umfang/Format 1 Online-Ressource.
Persistent Identifier URN: urn:nbn:de:101:1-2405052114395.407847669926
DOI: 10.1007/s11664-024-10927-y
URL https://doi.org/10.1007/s11664-024-10927-y
Zeitliche Einordnung Erscheinungsdatum: 2024
DDC-Notation 537.6226 (maschinell ermittelte DDC-Kurznotation)
Sprache(n) Englisch (eng)
Beziehungen Enthalten in: Journal of electronic materials (Bd. 53, 7.2.2024, Nr. 4, date:4.2024: 2181-2190)
Sachgruppe(n) 530 Physik

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