Katalog der Deutschen Nationalbibliothek
Ergebnis der Suche nach: idn=1328369935
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| Link zu diesem Datensatz | https://d-nb.info/1328369935 |
| Titel | Impact of Noise and Interface Trap Charge on a Heterojunction Dual-Gate Vertical TFET Device / by Karthik Nasani, Brinda Bhowmick, Puspa Devi Pukhrambam |
| Person(en) |
Nasani, Karthik (Verfasser) Bhowmick, Brinda (Verfasser) Pukhrambam, Puspa Devi (Verfasser) |
| Organisation(en) | SpringerLink (Online service) (Sonstige) |
| Umfang/Format | 1 Online-Ressource. |
| Persistent Identifier |
URN: urn:nbn:de:101:1-2405052114395.407847669926 DOI: 10.1007/s11664-024-10927-y |
| URL | https://doi.org/10.1007/s11664-024-10927-y |
| Zeitliche Einordnung | Erscheinungsdatum: 2024 |
| DDC-Notation | 537.6226 (maschinell ermittelte DDC-Kurznotation) |
| Sprache(n) | Englisch (eng) |
| Beziehungen | Enthalten in: Journal of electronic materials (Bd. 53, 7.2.2024, Nr. 4, date:4.2024: 2181-2190) |
| Sachgruppe(n) | 530 Physik |
| Online-Zugriff | Archivobjekt öffnen |

