Katalog der Deutschen Nationalbibliothek
Ergebnis der Suche nach: idn=132836996X
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| Link zu diesem Datensatz | https://d-nb.info/132836996X |
| Titel | Trivalent Atom Defect-Complex Induced Defect Levels in Germanium for Enhanced Ge‑Based Device Performance / by Emmanuel Igumbor, Moise Dongho-Nguimdo, Edwin Mapasha, Rajendran Kalimuthu, Abdulrafiu Raji, Walter Meyer |
| Person(en) |
Igumbor, Emmanuel (Verfasser) Dongho-Nguimdo, Moise (Verfasser) Mapasha, Edwin (Verfasser) Kalimuthu, Rajendran (Verfasser) Raji, Abdulrafiu (Verfasser) Meyer, Walter (Verfasser) |
| Organisation(en) | SpringerLink (Online service) (Sonstige) |
| Umfang/Format | 1 Online-Ressource. |
| Persistent Identifier |
URN: urn:nbn:de:101:1-2405052114422.310846063319 DOI: 10.1007/s11664-023-10902-z |
| URL | https://doi.org/10.1007/s11664-023-10902-z |
| Zeitliche Einordnung | Erscheinungsdatum: 2024 |
| DDC-Notation | 530.411 (maschinell ermittelte DDC-Kurznotation) |
| Sprache(n) | Englisch (eng) |
| Beziehungen | Enthalten in: Journal of electronic materials (Bd. 53, 26.1.2024, Nr. 4, date:4.2024: 1903-1912) |
| Sachgruppe(n) | 530 Physik |
| Online-Zugriff | Archivobjekt öffnen |
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