Katalog der Deutschen Nationalbibliothek
Ergebnis der Suche nach: idn=1328379671
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| Link zu diesem Datensatz | https://d-nb.info/1328379671 |
| Titel | Effect of oxygen vacancy concentration on the resistive random access memory characteristics of NiOx (x = 1, 0.97, 0.94) thin films / by Minsoo Kim, Jong Yeog Son |
| Person(en) |
Kim, Minsoo (Verfasser) Son, Jong Yeog (Verfasser) |
| Organisation(en) | SpringerLink (Online service) (Sonstige) |
| Umfang/Format | 1 Online-Ressource. |
| Persistent Identifier |
URN: urn:nbn:de:101:1-2405052141480.212838356691 DOI: 10.1007/s10853-024-09439-1 |
| URL | https://doi.org/10.1007/s10853-024-09439-1 |
| Zeitliche Einordnung | Erscheinungsdatum: 2024 |
| DDC-Notation | 530.4175 (maschinell ermittelte DDC-Kurznotation) |
| Sprache(n) | Englisch (eng) |
| Beziehungen | Enthalten in: Journal of materials science (Bd. 59, 16.2.2024, Nr. 7, date:2.2024: 2988-2997) |
| Sachgruppe(n) | 530 Physik |
| Online-Zugriff | Archivobjekt öffnen |
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