Katalog der Deutschen Nationalbibliothek
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| Link zu diesem Datensatz | https://d-nb.info/1328662454 |
| Titel | High‐temperature limit of the non‐radiative multiphonon carrier‐capture cross‐sections of deep traps in semiconductors |
| Person(en) | Pässler, R. (Verfasser) |
| Umfang/Format | Online-Ressource (pdf) |
| Persistent Identifier |
URN: urn:nbn:de:101:1-2405080557461.248189364727 DOI: 10.1002/pssb.2220830153 |
| URL | https://doi.org/10.1002/pssb.2220830153 |
| Zeitliche Einordnung | Erscheinungsdatum: 07.02.2006 |
| Sprache(n) | Englisch (eng) |
| Beziehungen | Enthalten in: Physica status solidi / B / Basic solid state physics (Bd. 83, 2006, Nr. 1: K55-K58. 4 S.) |
| Online-Zugriff | Archivobjekt öffnen |
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