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Titel The influence of indium on the p n junction formation in Si doped LPE layers of gallium arsenide
Person(en) Bolkhovityanova, R. I. (Verfasser)
Bolkhovityanov, Yu. B. (Verfasser)
Umfang/Format Online-Ressource (pdf)
Persistent Identifier URN: urn:nbn:de:101:1-2405080604377.111272783130
DOI: 10.1002/pssa.2210370264
URL https://doi.org/10.1002/pssa.2210370264
Zeitliche Einordnung Erscheinungsdatum: 16.02.2006
Sprache(n) Englisch (eng)
Beziehungen Enthalten in: Physica status solidi / A / Applied research (Bd. 37, 2006, Nr. 2: K193-K195. 3 S.)

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