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Link zu diesem Datensatz https://d-nb.info/1328663175
Titel Effects of irradiation time and subsequent heat treatment on Nd:YAG laser annealing of high‐dose As‐implanted silicon
Person(en) Ohmura, Y. (Verfasser)
Shigematsu, T. (Verfasser)
Nakayama, R. (Verfasser)
Umfang/Format Online-Ressource (pdf)
Persistent Identifier URN: urn:nbn:de:101:1-2405080608578.562323043442
DOI: 10.1002/pssa.2210560124
URL https://doi.org/10.1002/pssa.2210560124
Zeitliche Einordnung Erscheinungsdatum: 17.02.2006
Sprache(n) Englisch (eng)
Beziehungen Enthalten in: Physica status solidi / A / Applied research (Bd. 56, 2006, Nr. 1: 225-230. 6 S.)

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