Field Induced Off‐State Instability in InGaZnO Thin‐Film Transistor and its Impact on Synaptic Circuits

Katalog der Deutschen Nationalbibliothek

Musikarchiv

Buchmuseum

Expertensuche ?

Der Aufruf von archivierten Webseiten ist aktuell nicht möglich. Wir arbeiten an einer Lösung.

Am Donnerstag, 17.09.2026, öffnet die Deutsche Nationalbibliothek wegen eines Beschäftigtentreffens an beiden Standorten erst um 15 Uhr.

Treffer 1 von 1


Link zu diesem Datensatz	https://d-nb.info/1328719642
Titel	Field Induced Off‐State Instability in InGaZnO Thin‐Film Transistor and its Impact on Synaptic Circuits
Person(en)	Kang, Minseung (Verfasser) Cho, Ung (Verfasser) Kang, Jaehyeon (Verfasser) Han, Narae (Verfasser) Seo, Hyeong Jun (Verfasser) Yang, Jee‐Eun (Verfasser) Shin, Seokyeon (Verfasser) Kim, Taehyun (Verfasser) Kim, Sangwook (Verfasser) Jeong, Changwook (Verfasser) Kim, Sangbum (Verfasser)
Umfang/Format	Online-Ressource (pdf)
Persistent Identifier	URN: urn:nbn:de:101:1-2405081442486.064729187588 DOI: 10.1002/aelm.202300900
URL	https://doi.org/10.1002/aelm.202300900
Zeitliche Einordnung	Erscheinungsdatum: 08.05.2024
Sprache(n)	Englisch (eng)
Beziehungen	Enthalten in: Advanced electronic materials (08.05.2024. 8 S.)

Online-Zugriff

Archivobjekt öffnen

Treffer 1 von 1

Korrekturanfrage