Katalog der Deutschen Nationalbibliothek

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Titel Enhanced Performance of GaN HEMTs in X‐band Applications Using Si x N/Si 3 N 4 Bilayer Passivation Technique
Person(en) Li, Shiming (Verfasser)
Wu, Mei (Verfasser)
Yang, Ling (Verfasser)
Hou, Bin (Verfasser)
Zhang, Meng (Verfasser)
Chang, Qingyuan (Verfasser)
Ma, Xiaohua (Verfasser)
Hao, Yue (Verfasser)
Umfang/Format Online-Ressource (pdf)
Persistent Identifier URN: urn:nbn:de:101:1-2405091410416.182531322247
DOI: 10.1002/pssa.202400047
URL https://doi.org/10.1002/pssa.202400047
Zeitliche Einordnung Erscheinungsdatum: 08.05.2024
Sprache(n) Englisch (eng)
Beziehungen Enthalten in: Physica status solidi / A / Applications and materials science (08.05.2024. 7 S.)

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