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Titel Capacitorless Two‐Transistor Dynamic Random‐Access Memory Cells Comprising Amorphous Indium–Tin–Gallium–Zinc Oxide Thin‐Film Transistors for the Multiply–Accumulate Operation
Person(en) Ryu, Seungho (Verfasser)
Kang, Mingu (Verfasser)
Cho, Kyoungah (Verfasser)
Kim, Sangsig (Verfasser)
Umfang/Format Online-Ressource (pdf)
Persistent Identifier URN: urn:nbn:de:101:1-2405091412460.186307888269
DOI: 10.1002/admt.202302209
URL https://doi.org/10.1002/admt.202302209
Zeitliche Einordnung Erscheinungsdatum: 09.05.2024
Sprache(n) Englisch (eng)
Beziehungen Enthalten in: Advanced Materials Technologies (09.05.2024. 7 S.)

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