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Link zu diesem Datensatz https://d-nb.info/1328895513
Titel Formation of Defects Forming Deep Levels in SiON/AlGaN/GaN Structures / by K. L. Enisherlova, I. A. Mikhaylov, L. A. Seidman, E. P. Kirilenko, Yu. V. Kolkovsky
Person(en) Enisherlova, K. L. (Verfasser)
Mikhaylov, I. A. (Verfasser)
Seidman, L. A. (Verfasser)
Kirilenko, E. P. (Verfasser)
Kolkovsky, Yu. V. (Verfasser)
Organisation(en) SpringerLink (Online service) (Sonstige)
Umfang/Format 1 Online-Ressource.
Persistent Identifier URN: urn:nbn:de:101:1-2405101104080.496399681361
DOI: 10.1134/S1063739723080085
URL https://doi.org/10.1134/S1063739723080085
Zeitliche Einordnung Erscheinungsdatum: 2023
DDC-Notation 530.44 (maschinell ermittelte DDC-Kurznotation)
Sprache(n) Englisch (eng)
Beziehungen Enthalten in: Russian microelectronics (Bd. 52, 5.3.2024, Nr. 8, date:12.2023: 817-826)
Sachgruppe(n) 530 Physik

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