Katalog der Deutschen Nationalbibliothek

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Titel The Effect of AlN Buffer Layer Morphology on the Structural Quality of a Semipolar GaN Layer Grown on a Si(001) Substrate, According to Transmission Electron Microscopy Data / by D. A. Kirilenko, A. V. Myasoedov, A. E. Kalmykov, L. M. Sorokin
Person(en) Kirilenko, D. A. (Verfasser)
Myasoedov, A. V. (Verfasser)
Kalmykov, A. E. (Verfasser)
Sorokin, L. M. (Verfasser)
Organisation(en) SpringerLink (Online service) (Sonstige)
Umfang/Format 1 Online-Ressource.
Persistent Identifier URN: urn:nbn:de:101:1-2405152124497.777368968020
DOI: 10.1134/S1063785023900303
URL https://doi.org/10.1134/S1063785023900303
Zeitliche Einordnung Erscheinungsdatum: 2023
DDC-Notation 537.6226 (maschinell ermittelte DDC-Kurznotation)
Sprache(n) Englisch (eng)
Beziehungen Enthalten in: Technical physics letters (Bd. 49, 13.3.2024, Nr. 1, date:12.2023: S34-S37)
Sachgruppe(n) 530 Physik

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