Katalog der Deutschen Nationalbibliothek
Ergebnis der Suche nach: idn=1329587995
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| Link zu diesem Datensatz | https://d-nb.info/1329587995 |
| Titel | Study of Heavily Doped n-3C-SiC Epitaxial Films Grown on 6H-SiC Semi-Insulating Substrates by Sublimation Method / by A. A. Lebedev, V. Yu. Davydov, I. A. Eliseev, S. P. Lebedev, I. P. Nikitina, G. A. Oganesyan, A. N. Smirnov, L. V. Shakhov |
| Person(en) |
Lebedev, A. A. (Verfasser) Davydov, V. Yu (Verfasser) Eliseev, I. A. (Verfasser) Lebedev, S. P. (Verfasser) Nikitina, I. P. (Verfasser) Oganesyan, G. A. (Verfasser) Smirnov, A. N. (Verfasser) Shakhov, L. V. (Verfasser) |
| Organisation(en) | SpringerLink (Online service) (Sonstige) |
| Umfang/Format | 1 Online-Ressource. |
| Persistent Identifier |
URN: urn:nbn:de:101:1-2405152131016.336054956234 DOI: 10.1134/S1063782623040103 |
| URL | https://doi.org/10.1134/S1063782623040103 |
| Zeitliche Einordnung | Erscheinungsdatum: 2023 |
| DDC-Notation | 530.4175 (maschinell ermittelte DDC-Kurznotation) |
| Sprache(n) | Englisch (eng) |
| Beziehungen | Enthalten in: Semiconductors (Bd. 57, 13.3.2024, Nr. 2, date:2.2023: 121-124) |
| Sachgruppe(n) | 530 Physik |
| Online-Zugriff | Archivobjekt öffnen |

