Katalog der Deutschen Nationalbibliothek
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| Link zu diesem Datensatz | https://d-nb.info/1263512496 |
| Art des Inhalts | Hochschulschrift |
| Titel | Herstellung von GaN-Schichten mittels Hochtemperatur-Gasphasenepitaxie / vorgelegt von M. Sc. Tom Schneider |
| Person(en) | Schneider, Tom (Verfasser) |
| Verlag | Freiberg |
| Zeitliche Einordnung | Erscheinungsdatum: 2022 |
| Umfang/Format | ii, 147 Seiten : Illustrationen ; 31 cm |
| Andere Ausgabe(n) | Erscheint auch als Online-Ausgabe: Schneider, Tom: Herstellung von GaN-Schichten mittels Hochtemperatur-Gasphasenepitaxie |
| Hochschulschrift | Dissertation, Technische Universität Bergakademie Freiberg, 2022 |
| ISBN/Einband/Preis | Festeinband |
| Sprache(n) | Deutsch (ger) |
| Schlagwörter |
Galliumnitrid ; Gasphasenepitaxie ; Verbindungshalbleiter ; Defekt ; Versetzung <Kristallographie> ; Substrat <Mikroelektronik> Galliumnitrid* ; MOCVD-Verfahren* ; Wafer* ; Hydridgasphasenepitaxie* ; Lumineszenzdiode* ; Aluminiumnitrid* (*maschinell ermittelt) |
| Sachgruppe(n) | 660 Technische Chemie |
| Weiterführende Informationen | Inhaltsverzeichnis |
| Frankfurt |
Signatur: 2022 B 22937 Bestand: [Dieses Werk gibt es inhaltsgleich auch in digitaler Form.] Bereitstellung in Frankfurt |
| Leipzig |
Signatur: 2022 B 95287 Bestand: [Dieses Werk gibt es inhaltsgleich auch in digitaler Form.] Bereitstellung in Leipzig |
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