Katalog der Deutschen Nationalbibliothek
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| Link zu diesem Datensatz | https://d-nb.info/1036551784 |
| Art des Inhalts | Hochschulschrift |
| Titel | The dangling-bond defect in silicon : Insights into electronic and structural effects from first-principles calculations of the EPR-parameters / Gernot Pfanner. Betreuer: Jörg Neugebauer ; W. Gero Schmidt |
| Person(en) |
Pfanner, Gernot (Verfasser) Neugebauer, Jörg (Akademischer Betreuer) Schmidt, W. Gero (Akademischer Betreuer) |
| Verlag | Paderborn : Universitätsbibliothek |
| Zeitliche Einordnung | Erscheinungsdatum: 2012 |
| Umfang/Format | Online-Ressource |
| Andere Ausgabe(n) | Erscheint auch als Druck-Ausgabe: Pfanner, Gernot: The dangling-bond defect in silicon |
| Hochschulschrift | Paderborn, Universität Paderborn, Diss., 2012 |
| Persistent Identifier | URN: urn:nbn:de:hbz:466:2-9715 |
| URL | http://digital.ub.uni-paderborn.de/urn/urn:nbn:de:hbz:466:2-9715 (Verlag) (kostenfrei zugänglich) |
| Sprache(n) | Englisch (eng) |
| DDC-Notation | 537.6226 [DDC22ger] |
| Sachgruppe(n) | 530 Physik |
| Online-Zugriff | Archivobjekt öffnen |
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