Katalog der Deutschen Nationalbibliothek
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Link zu diesem Datensatz | https://d-nb.info/920046150 |
Titel | Vertical and parallel valence band masses in two-dimensional AlzGa1-zAs. InxAl1-xAs, InxGa1-xAs. InxGa1-x-zAlzAs and InxGa1-xAsyP1-y grown on [100] and [111] oriented substrates / H. Hillmer ; H. Burkhard : S. Hansmann. Deutsche Bundespost TELEKOM, Forschungsinstitut beim FTZ, Forschungsgruppe FI 43 |
Person(en) |
Hillmer, Hartmut (Verfasser) Burkhard, Herbert (Verfasser) Hansmann, Stefan (Verfasser) |
Verlag | Darmstadt : Forschungsinst. beim FTZ |
Zeitliche Einordnung | Erscheinungsdatum: 1991 |
Umfang/Format | 17 S. : graph. Darst. ; 30 cm |
ISBN/Einband/Preis | geh. |
Beziehungen | Deutsche Bundespost Telekom. Forschungsinstitut: Technischer Bericht ; 65 TB 29 E : Forschungsgruppe FI 43 |
Anmerkungen |
Literaturverz. S. 14 - 17 Status nach VGG: vergriffen |
Sachgruppe(n) | 37 Elektrotechnik |
Frankfurt |
Signatur: D 72b/2152
Bereitstellung in Frankfurt |
