Katalog der Deutschen Nationalbibliothek
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| Link zu diesem Datensatz | https://d-nb.info/1329583701 |
| Titel | Templates for Homoepitaxial Growth of 3C-SiC Obtained by Direct Bonding of Silicon Carbide Wafers of Differing Polytype / by M. G. Mynbaeva, D. G. Amelchuk, A. N. Smirnov, I. P. Nikitina, S. P. Lebedev, V. Yu. Davydov, A. A. Lebedev |
| Person(en) |
Mynbaeva, M. G. (Verfasser) Amelchuk, D. G. (Verfasser) Smirnov, A. N. (Verfasser) Nikitina, I. P. (Verfasser) Lebedev, S. P. (Verfasser) Davydov, V. Yu (Verfasser) Lebedev, A. A. (Verfasser) |
| Organisation(en) | SpringerLink (Online service) (Sonstige) |
| Umfang/Format | 1 Online-Ressource. |
| Persistent Identifier |
URN: urn:nbn:de:101:1-2405152120146.816736107482 DOI: 10.1134/S1063782623080109 |
| URL | https://doi.org/10.1134/S1063782623080109 |
| Zeitliche Einordnung | Erscheinungsdatum: 2023 |
| DDC-Notation | 530.4175 (maschinell ermittelte DDC-Kurznotation) |
| Sprache(n) | Englisch (eng) |
| Beziehungen | Enthalten in: Semiconductors (Bd. 57, 13.3.2024, Nr. 6, date:6.2023: 305-309) |
| Sachgruppe(n) | 530 Physik |
| Online-Zugriff | Archivobjekt öffnen |
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