Atomic‐Layer Controlled Transition from Inverse Rashba–Edelstein Effect to Inverse Spin Hall Effect in 2D PtSe 2 Probed by THz Spintronic Emission

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Link zu diesem Datensatz	https://d-nb.info/1315534789
Titel	Atomic‐Layer Controlled Transition from Inverse Rashba–Edelstein Effect to Inverse Spin Hall Effect in 2D PtSe 2 Probed by THz Spintronic Emission
Person(en)	Abdukayumov, Khasan (Verfasser) Mičica, Martin (Verfasser) Ibrahim, Fatima (Verfasser) Vojáček, Libor (Verfasser) Vergnaud, Céline (Verfasser) Marty, Alain (Verfasser) Veuillen, Jean‐Yves (Verfasser) Mallet, Pierre (Verfasser) de Moraes, Isabelle Gomes (Verfasser) Dosenovic, Djordje (Verfasser) Gambarelli, Serge (Verfasser) Maurel, Vincent (Verfasser) Wright, Adrien (Verfasser) Tignon, Jérôme (Verfasser) Mangeney, Juliette (Verfasser) Ouerghi, Abdelkarim (Verfasser) Renard, Vincent (Verfasser) Mesple, Florie (Verfasser) Li, Jing (Verfasser) Bonell, Frédéric (Verfasser) Okuno, Hanako (Verfasser) Chshiev, Mairbek (Verfasser) George, Jean‐Marie (Verfasser) Jaffrès, Henri (Verfasser) Dhillon, Sukhdeep (Verfasser) Jamet, Matthieu (Verfasser)
Umfang/Format	Online-Ressource (pdf)
Persistent Identifier	URN: urn:nbn:de:101:1-2024011014171022584842 DOI: 10.1002/adma.202304243
URL	https://doi.org/10.1002/adma.202304243
Zeitliche Einordnung	Erscheinungsdatum: 09.01.2024
Sprache(n)	Englisch (eng)
Beziehungen	Enthalten in: Advanced materials (09.01.2024. 11 S.)

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