Katalog der Deutschen Nationalbibliothek
Ergebnis der Suche nach: "" and "LAURENT" and "Charles"
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| Link zu diesem Datensatz | https://d-nb.info/1332179916 |
| Titel | Localized Epitaxial Growth of 402 V Breakdown Voltage Quasi‐Vertical GaN‐on‐Si p‐n Diode on 200 mm‐Diameter Wafers |
| Person(en) |
Kaltsounis, Thomas (Verfasser) El Amrani, Mohammed (Verfasser) Plaza Arguello, David (Verfasser) El Rammouz, Hala (Verfasser) Maurya, Vishwajeet (Verfasser) Lafossas, Matthieu (Verfasser) Torrengo, Simona (Verfasser) Haas, Helge (Verfasser) Mendizabal, Laurent (Verfasser) Gueugnot, Alain (Verfasser) Mariolle, Denis (Verfasser) Jalabert, Thomas (Verfasser) Buckley, Julien (Verfasser) Cordier, Yvon (Verfasser) Charles, Matthew (Verfasser) |
| Umfang/Format | Online-Ressource (pdf) |
| Persistent Identifier |
URN: urn:nbn:de:101:1-2406081418103.244566244082 DOI: 10.1002/pssa.202400059 |
| URL | https://doi.org/10.1002/pssa.202400059 |
| Zeitliche Einordnung | Erscheinungsdatum: 07.06.2024 |
| Sprache(n) | Englisch (eng) |
| Beziehungen | Enthalten in: Physica status solidi / A / Applications and materials science (07.06.2024. 7 S.) |
| Online-Zugriff | Archivobjekt öffnen |
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