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Art des Inhalts Hochschulschrift
Titel Epitaxy of novel AlScN/GaN and AlYN/GaN heterostructures by metal-organic chemical vapour deposition
Person(en) Streicher, Isabel (Verfasser)
Ambacher, Oliver (Akademischer Betreuer)
Zacharias, Margit
Organisation(en) Albert-Ludwigs-Universität Freiburg. Fakultät für Angewandte Wissenschaften (Grad-verleihende Institution)
Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik (Mitwirkender)
Verlag Freiburg : Universität
Zeitliche Einordnung Erscheinungsdatum: 2024
Umfang/Format Online-Ressource (pdf)
Hochschulschrift Dissertation, Universität Freiburg, 2024
Persistent Identifier URN: urn:nbn:de:bsz:25-freidok-2558886
DOI: 10.6094/UNIFR/255888
URL https://freidok.uni-freiburg.de/data/255888 (kostenfrei zugänglich)
Sprache(n) Englisch (eng)
Schlagwörter Heterostruktur* ; Galliumnitrid* ; Aluminiumnitrid* ; HEMT* ; MOCVD-Verfahren* ; Heterostruktur-Bauelement* (*maschinell ermittelt)
DDC-Notation 537.6226 (maschinell ermittelte DDC-Kurznotation)
Sachgruppe(n) 530 Physik ; 621.3 Elektrotechnik, Elektronik

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