Katalog der Deutschen Nationalbibliothek
Ergebnis der Suche nach: tit all "A Smart Memory Design."
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| Link zu diesem Datensatz | https://d-nb.info/1233438239 |
| Titel | Resistive Switching Memory: Smart Design of Resistive Switching Memory by an In Situ Current‐Induced Oxidization Process on a Single Crystalline Metallic Nanowire (Adv. Electron. Mater. 5/2021) |
| Person(en) |
Shih, Yu‐Chuan (Verfasser) Lee, Ling (Verfasser) Liang, Kai‐De (Verfasser) Manikandan, Arumugam (Verfasser) Liu, Wen‐Wu (Verfasser) Chen, Yu‐Ze (Verfasser) Chang, Mu‐Tung (Verfasser) Wang, Zhiming M. (Verfasser) Chueh, Yu‐Lun (Verfasser) |
| Umfang/Format | Online-Ressource (pdf) |
| Persistent Identifier |
URN: urn:nbn:de:101:1-2021051315065683747152 DOI: 10.1002/aelm.202170015 |
| URL | https://doi.org/10.1002/aelm.202170015 |
| Zeitliche Einordnung | Erscheinungsdatum: 12.05.2021 |
| Sprache(n) | Englisch (eng) |
| Beziehungen | Enthalten in: Advanced electronic materials (Bd. 7, 2021, Nr. 5. 1 S.) |
| Online-Zugriff | Archivobjekt öffnen |
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