Katalog der Deutschen Nationalbibliothek
Ergebnis der Suche nach: "10837601X"
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| Link zu diesem Datensatz | https://d-nb.info/820968307 |
| Titel | Silicon, chemical etching / ed.: J. Grabmaier. With contributions by R. B. Heimann ... |
| Person(en) |
Heimann, Robert B. (Verfasser) Grabmaier, Josef G. (Herausgeber) |
| Verlag | Berlin ; Heidelberg ; New York : Springer |
| Zeitliche Einordnung | Erscheinungsdatum: 1982 |
| Umfang/Format | 226 S. : Ill., graph. Darst. ; 25 cm |
| Andere Ausgabe(n) | Erscheint auch als Online-Ausgabe: Silicon Chemical Etching |
| ISBN/Einband/Preis |
978-3-540-11862-6 (Berlin, Heidelberg, New York) Pp. : DM 144.00 3-540-11862-4 (Berlin, Heidelberg, New York) Pp. : DM 144.00 978-0-387-11862-8 (New York, Heidelberg, Berlin) Pp. 0-387-11862-4 (New York, Heidelberg, Berlin) Pp. |
| Sprache(n) | Englisch (eng) |
| Beziehungen | Crystals ; Vol. 8 |
| Anmerkungen |
Literaturangaben Status nach VGG: lieferbar |
| Schlagwörter | Einkristall ; Silizium ; Ätzen ; Dendritische Kristallisation ; Czochralski-Verfahren ; Kristallisation ; Silizium ; Kristall ; Ätzen (Werkstoffkunde) ; Czochalski-Verfahren ; Kristallzüchtung |
| Sachgruppe(n) | 29 Physik, Astronomie |
| Weiterführende Informationen | Inhaltsverzeichnis |
| Frankfurt |
Signatur: D 82b/9777 Bestand: [Dieses Werk gibt es inhaltsgleich auch in digitaler Form.] Bereitstellung in Frankfurt |
| Leipzig |
Signatur: SA 27098-8 Bestand: [Dieses Werk gibt es inhaltsgleich auch in digitaler Form.] Bereitstellung in Leipzig |

