Katalog der Deutschen Nationalbibliothek
Ergebnis der Suche nach: "ALQUIER" and "N"
Link zu diesem Datensatz | https://d-nb.info/1281510203 |
Titel | TiAl Ohmic contact on GaN, in situ high or low doped or Si implanted, epitaxially grown on sapphire or silicon |
Person(en) |
Cayrel, F. (Verfasser) Ménard, O. (Verfasser) Yvon, A. (Verfasser) Thierry‐Jébali, N. (Verfasser) Brylinsky, C. (Verfasser) Collard, E. (Verfasser) Alquier, D. (Verfasser) |
Umfang/Format | Online-Ressource (pdf) |
Persistent Identifier |
URN: urn:nbn:de:101:1-2023022105053950077091 DOI: 10.1002/pssa.201127564 |
URL | https://doi.org/10.1002/pssa.201127564 |
Zeitliche Einordnung | Erscheinungsdatum: 22.02.2012 |
Sprache(n) | Englisch (eng) |
Beziehungen | Enthalten in: Physica status solidi / A / Applications and materials science (Bd. 209, 2012, Nr. 6: 1059-1066. 8 S.) |
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