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Artikel
Link zu diesem Datensatz https://d-nb.info/1281510203
Titel TiAl Ohmic contact on GaN, in situ high or low doped or Si implanted, epitaxially grown on sapphire or silicon
Person(en) Cayrel, F. (Verfasser)
Ménard, O. (Verfasser)
Yvon, A. (Verfasser)
Thierry‐Jébali, N. (Verfasser)
Brylinsky, C. (Verfasser)
Collard, E. (Verfasser)
Alquier, D. (Verfasser)
Umfang/Format Online-Ressource (pdf)
Persistent Identifier URN: urn:nbn:de:101:1-2023022105053950077091
DOI: 10.1002/pssa.201127564
URL https://doi.org/10.1002/pssa.201127564
Zeitliche Einordnung Erscheinungsdatum: 22.02.2012
Sprache(n) Englisch (eng)
Beziehungen Enthalten in: Physica status solidi / A / Applications and materials science (Bd. 209, 2012, Nr. 6: 1059-1066. 8 S.)

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