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Link zu diesem Datensatz https://d-nb.info/1139409425
Titel Development of noise model for InAsSb MOSFETs and their application in low noise amplifiers / by Swagata Bhattacherjee, Abhijit Biswas
Person(en) Bhattacherjee, Swagata (Verfasser)
Biswas, Abhijit (Sonstige)
Organisation(en) SpringerLink (Online service) (Sonstige)
Umfang/Format Online-Ressource : online resource.
Persistent Identifier URN: urn:nbn:de:1111-201709067247
DOI: 10.1007/s00542-017-3466-x
URL http://dx.doi.org/10.1007/s00542-017-3466-x
Zeitliche Einordnung Erscheinungsdatum: 2017
Sprache(n) Englisch (eng)
Beziehungen In: Microsystem technologies (13.6.2017: 1-8)
Sachgruppe(n) 621.3 Elektrotechnik, Elektronik

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