Katalog der Deutschen Nationalbibliothek
Ergebnis der Suche nach: tit all "SiGe Heterojunction Bipolar Transistors"
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| Link zu diesem Datensatz | https://d-nb.info/1304750272 |
| Titel | The behavior of Ti silicidation on Si/SiGe/Si base and its effect on base resistance and fmax in SiGe hetero-junction bipolar transistors / by Seung-Yun Lee, Hong-Seung Kim, Sang-Heung Lee, Kyu-Hwan Shim, Jin-Yeong Kang, Min-Kyu Song |
| Person(en) |
Lee, Seung-Yun (Verfasser) Kim, Hong-Seung (Verfasser) Lee, Sang-Heung (Verfasser) Shim, Kyu-Hwan (Verfasser) Kang, Jin-Yeong (Verfasser) Song, Min-Kyu (Verfasser) |
| Organisation(en) | SpringerLink (Online service) (Sonstige) |
| Umfang/Format | Online-Ressource, 1 online resource. |
| Persistent Identifier |
URN: urn:nbn:de:101:1-2023100221263751221804 DOI: 10.1023/A:1011843517164 |
| URL | https://doi.org/10.1023/A:1011843517164 |
| Zeitliche Einordnung | Erscheinungsdatum: 2001 |
| Sprache(n) | Englisch (eng) |
| Beziehungen | Enthalten in: Journal of materials science / Materials in electronics (Bd. 12, Nr. 8, date:8.2001: 467-472) |
| Sachgruppe(n) | 620 Ingenieurwissenschaften und Maschinenbau |
| Online-Zugriff | Archivobjekt öffnen |
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