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Bücher
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Art des Inhalts Hochschulschrift
Titel Physics based analytical modeling of SiGe heterojunction bipolar transistors for high speed integrated circuits / Tran Hoang Hung
Person(en) Tran-Hoang-Hung (Verfasser)
Verlag Dresden : TUDpress
Zeitliche Einordnung Erscheinungsdatum: 2007
Umfang/Format XXI, 150 S. : graph. Darst. ; 21 cm
Hochschulschrift Zugl.: Dresden, Techn. Univ., Diss., 2006
ISBN/Einband/Preis 978-3-940046-01-7 kart. : EUR 30.80
3-940046-01-9 kart. : EUR 30.80
EAN 9783940046017
Sprache(n) Englisch (eng)
Schlagwörter Silicium ; Germanium ; Heterobipolartransistor ; Kleinsignalverhalten ; Physikalische Eigenschaft ; Modell
DDC-Notation 621.381528 [DDC22ger]
Sachgruppe(n) 620 Ingenieurwissenschaften und Maschinenbau

Frankfurt Signatur: 2007 A 21780
Bereitstellung in Frankfurt
Leipzig Signatur: 2007 A 26236
Bereitstellung in Leipzig




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