Katalog der Deutschen Nationalbibliothek
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| Link zu diesem Datensatz | https://d-nb.info/1389051706 |
| Titel | Millimeter-Wave High-Efficiency Doherty Power Amplifiers in Gallium Nitride High-Electron-Mobility Transistor Technology / Moïse Safari Mugisho |
| Person(en) | Safari Mugisho, Moïse (Verfasser) |
| Organisation(en) |
Fraunhofer IRB-Verlag (Verlag) Fraunhofer IAF, Freiburg (Herausgebendes Organ) |
| Verlag | Stuttgart : Fraunhofer Verlag |
| Zeitliche Einordnung | Erscheinungsdatum: 2026 |
| Umfang/Format | 282 Seiten : num., mostly col. illus. and tab. ; 21 cm |
| Hochschulschrift | Dissertation, Univ., Freiburg, 2025 |
| ISBN/Einband/Preis |
978-3-8396-2163-9 Broschur : EUR 85.00 (DE), EUR 87.40 (AT), CHF 131.00 (freier Preis) 3-8396-2163-1 |
| Bestellnummer(n) | Bestellnummer fhg-iaf_79 |
| EAN | 9783839621639 |
| Sprache(n) | Englisch (eng) |
| Beziehungen | Science for Systems |
| Sachgruppe(n) | 621.3 Elektrotechnik, Elektronik |
| Weiterführende Informationen |
Inhaltstext Inhaltstext |
| Frankfurt | Publikation im Haus und in Bearbeitung |
| Leipzig | Publikation im Haus und in Bearbeitung |
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