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Art des Inhalts Hochschulschrift
Titel Fabrication and characterisation of AlGaN/GaN high electron mobility transistors for power applications / vorgelegt von Juraj Bernát
Person(en) Bernát, Juraj (Verfasser)
Zeitliche Einordnung Erscheinungsdatum: 2005
Umfang/Format IV, 152 S. : Ill., graph. Darst. ; 21 cm
Andere Ausgabe(n) Erscheint auch als Online-Ausgabe: Bernát, Juraj: Fabrication and characterisation of AlGaN/GaN high electron mobility transistors for power applications
Hochschulschrift Aachen, Techn. Hochsch., Diss., 2005 (Nicht für den Austausch)
Sprache(n) Englisch (eng)
Schlagwörter Galliumnitrid ; Transistor
DDC-Notation 621.3815284 [DDC22ger]
Sachgruppe(n) 620 Ingenieurwissenschaften und Maschinenbau

Frankfurt Signatur: 2006 A 32849
Bestand: [Dieses Werk gibt es inhaltsgleich auch in digitaler Form.]
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Leipzig Signatur: 2006 A 36682
Bestand: [Dieses Werk gibt es inhaltsgleich auch in digitaler Form.]
Bereitstellung in Leipzig




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