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Titel Investigation on DC/RF Performance of LG = 19 nm Heterogeneous Integrated Ga0.15In0.85As/InAs/Ga0.15In0.85As Composite Channel InP HEMT on Silicon Substrate for Future Beyond 5G and Quantum Computing Applications / by Sandip Bhattacharya, J. Ajayan, D.Nirmal, Shubham Tayal, Sreedhar Kollem, L. M. I. Leo Joseph
Person(en) Bhattacharya, Sandip (Verfasser)
Ajayan, J. (Verfasser)
D.Nirmal (Verfasser)
Tayal, Shubham (Verfasser)
Kollem, Sreedhar (Verfasser)
Joseph, L. M. I. Leo (Verfasser)
Organisation(en) SpringerLink (Online service) (Sonstige)
Umfang/Format Online-Ressource : online resource.
Persistent Identifier URN: urn:nbn:de:101:1-2022051220185078399472
DOI: 10.1007/s12633-022-01719-2
URL https://doi.org/10.1007/s12633-022-01719-2
Zeitliche Einordnung Erscheinungsdatum: 2022
DDC-Notation 621.381528 (maschinell ermittelte DDC-Kurznotation)
Sprache(n) Englisch (eng)
Beziehungen Enthalten in: Silicon (3.2.2022: 1-8)
Sachgruppe(n) 621.3 Elektrotechnik, Elektronik

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