Katalog der Deutschen Nationalbibliothek

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Art des Inhalts Hochschulschrift
Titel Entwicklung und Charakterisierung von Trench-Gate-Strukturen für 4H-SiC Leistungs-MOSFETs / Christian Tobias Banzhaf
Person(en) Banzhaf, Christian Tobias (Verfasser)
Organisation(en) Shaker Verlag (Verlag)
Ausgabe [1. Auflage]
Verlag Aachen : Shaker Verlag
Zeitliche Einordnung Erscheinungsdatum: 2016
Umfang/Format iv, 248 Seiten : Illustrationen ; 21 cm, 402 g
Hochschulschrift Dissertation, Friedrich-Alexander-Universität Erlangen-Nürnberg, 2016
ISBN/Einband/Preis 978-3-8440-4372-3 Broschur : EUR 49.80 (AT), sfr 62.30 (freier Preis), EUR 49.80 (DE)
3-8440-4372-1
EAN 9783844043723
Sprache(n) Deutsch (ger)
Beziehungen Erlanger Berichte Mikroelektronik ; Band 2016,1
Schlagwörter Leistungstransistor ; MOS-FET ; MOS ; Trench <Mikroelektronik> ; Siliciumcarbid ; Hexagonaler Kristall ; Wide-bandgap Halbleiter ; Wafer ; Nachbehandlung
DDC-Notation 621.3815284 [DDC22ger]
Sachgruppe(n) 621.3 Elektrotechnik, Elektronik
Weiterführende Informationen Inhaltsverzeichnis

Frankfurt Signatur: 2016 A 21871
Bereitstellung in Frankfurt
Leipzig Signatur: 2016 A 31681
Bereitstellung in Leipzig




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