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Link zu diesem Datensatz https://d-nb.info/1371020949
Titel 3.35V High Voltage Electroforming System in 28nm with 5.3mV ripple and 46 % efficiency for HfO2-based Memristors / Muhammad Shamookh, Arun Ashok, André Zambanini, Anton Ulrich Geläschus, Christian Grewing, Andreas Bahr, Stefan van Waasen
Person(en) Shamookh, Muhammad (Verfasser)
Ashok, Arun (Verfasser)
Zambanini, André (Verfasser)
Geläschus, Anton Ulrich (Verfasser)
Grewing, Christian (Verfasser)
Bahr, Andreas (Verfasser)
Waasen, Stefan van (Verfasser)
Verlag Hamburg : Technische Universität Hamburg. Universitätsbibliothek
Zeitliche Einordnung Erscheinungsdatum: 2025
Umfang/Format Online-Ressource
Persistent Identifier URN: urn:nbn:de:101:1-2507090522448.632230735176
DOI: 10.15480/882.15356
URL https://hdl.handle.net/11420/56119 (Verlag) (kostenfrei zugänglich)
Sprache(n) Englisch (eng)
Anmerkungen In: AEU International Journal of Electronics and Communications 200: 155863 (2025)
DDC-Notation 621.3815 (maschinell ermittelte DDC-Kurznotation)
Sachgruppe(n) 621.3 Elektrotechnik, Elektronik

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