MOVPE growth and characterization of AlGxGa-1tnxN/GaN heterostructures for HEMT application

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Art des Inhalts	Hochschulschrift
Titel	MOVPE growth and characterization of AlGxGa-1tnxN/GaN heterostructures for HEMT application / vorgelegt von Nicoleta Elena Kaluza
Person(en)	Kaluza, Nicoleta Elena (Verfasser)
Zeitliche Einordnung	Erscheinungsdatum: 2003
Umfang/Format	Online-Ressource, ca. 11,7 MB
Andere Ausgabe(n)	Erscheint auch als Druck-Ausgabe: Kaluza, Nicoleta Elena: MOVPE growth and characterization of AlGxGa-1tnxN/GaN heterostructures for HEMT application
Hochschulschrift	Aachen, Techn. Hochsch., Diss., 2003
Persistent Identifier	URN: urn:nbn:de:hbz:82-opus-8296
URL	http://sylvester.bth.rwth-aachen.de/dissertationen/2004/092/04_092.pdf (kostenfrei zugänglich) http://sylvester.bth.rwth-aachen.de/dissertationen/2004/092/index.htm (Verlag)
Sprache(n)	Englisch (eng)
Schlagwörter	Verbindungshalbleiter ; Borgruppennitride ; Heterostruktur ; MOCVD-Verfahren ; Saphir ; Substrat <Mikroelektronik>
Sachgruppe(n)	530 Physik

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