Katalog der Deutschen Nationalbibliothek

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Art des Inhalts Hochschulschrift
Titel Ferroelektrische Speicherzelle mit Verarmungstransistor für hochdichte RAM / Georg Braun
Person(en) Braun, Georg (Verfasser)
Ausgabe 1. Auflage
Verlag Aachen : Shaker
Zeitliche Einordnung Erscheinungsdatum: 2005
Umfang/Format Online-Ressource, 143 Seiten : 94 Illustrationen (pdf)
Andere Ausgabe(n) Erscheint auch als Druck-Ausgabe: Braun, Georg: Ferroelektrische Speicherzelle mit Verarmungstransistor für hochdichte RAM
Hochschulschrift Dissertation, Technische Universität Berlin, 2004
Persistent Identifier URN: urn:nbn:de:101:1-2019051907410459955002
ISBN/Einband/Preis 978-3-8322-4013-4
Sprache(n) Deutsch (ger)
Beziehungen Selected Topics of Electronics and Micromechatronics /Ausgewählte Probleme der Elektronik und Mikromechatronik ; 16
Schlagwörter FRAM <Informatik> ; Verarmungs-FET
Sachgruppe(n) 620 Ingenieurwissenschaften und Maschinenbau

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