Katalog der Deutschen Nationalbibliothek
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| Link zu diesem Datensatz | https://d-nb.info/978673239 |
| Art des Inhalts | Hochschulschrift |
| Titel | Fabrication and characterisation of AlGaN/GaN high electron mobility transistors for power applications / vorgelegt von Juraj Bernát |
| Person(en) | Bernát, Juraj (Verfasser) |
| Zeitliche Einordnung | Erscheinungsdatum: 2005 |
| Umfang/Format | Online-Ressource, ca. 28,7 MB |
| Andere Ausgabe(n) | Erscheint auch als Druck-Ausgabe: Bernát, Juraj: Fabrication and characterisation of AlGaN/GaN high electron mobility transistors for power applications |
| Hochschulschrift | Aachen, Techn. Hochsch., Diss., 2005 |
| Persistent Identifier | URN: urn:nbn:de:hbz:82-opus-12769 |
| URL |
http://darwin.bth.rwth-aachen.de/opus/volltexte/2006/1276/pdf/Bernat_Juraj.pdf (Verlag) (kostenfrei zugänglich) http://darwin.bth.rwth-aachen.de/opus/volltexte/2006/1276/index.html (Verlag) |
| Sprache(n) | Englisch (eng) |
| Schlagwörter | Galliumnitrid ; Transistor |
| DDC-Notation | 621.3815284 [DDC22ger] |
| Sachgruppe(n) | 620 Ingenieurwissenschaften und Maschinenbau |
| Online-Zugriff | Archivobjekt öffnen |
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