Katalog der Deutschen Nationalbibliothek
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| Link zu diesem Datensatz | https://d-nb.info/996578110 |
| Art des Inhalts | Hochschulschrift |
| Titel | III-nitride metal organic vapor phase epitaxy growth and characterization and use in gas sensing devices / Eunjung Cho |
| Person(en) | Cho, Eunjung (Verfasser) |
| Verlag | Aachen : Shaker |
| Zeitliche Einordnung | Erscheinungsdatum: 2009 |
| Umfang/Format | XII, 146 S. : Ill., graph. Darst. ; 21 cm, 239 gr. |
| Andere Ausgabe(n) | Erscheint auch als Online-Ausgabe: Cho, Eunjung: III-Nitride Metal Organic Vapor Phase Epitaxy Growth and Characterization and Use in Gas Sensing Devices |
| Hochschulschrift | Zugl.: Darmstadt, Techn. Univ., Diss., 2008 |
| ISBN/Einband/Preis | 978-3-8322-8431-2 kart. : EUR 48.80 (DE), EUR 48.80 (AT), sfr 97.60 (freier Pr.) |
| EAN | 9783832284312 |
| Sprache(n) | Englisch (eng) |
| Beziehungen | Berichte aus der Hochfrequenztechnik |
| Schlagwörter |
Verbindungshalbleiter ; Borgruppennitride ; Gasphasenepitaxie ; MOCVD-Verfahren Gassensor ; Halbleitersensor ; Galliumnitrid Gassensor ; Halbleitersensor ; Schottky-Diode ; Galliumnitrid ; Aluminiumnitrid |
| DDC-Notation | 681.2 [DDC22ger]; 621.38152 [DDC22ger] |
| Sachgruppe(n) | 670 Industrielle und handwerkliche Fertigung ; 620 Ingenieurwissenschaften und Maschinenbau |
| Weiterführende Informationen | Inhaltsverzeichnis |
| Frankfurt |
Signatur: 2009 A 48452 Bestand: [Dieses Werk gibt es inhaltsgleich auch in digitaler Form.] Bereitstellung in Frankfurt |
| Leipzig |
Signatur: 2009 A 89511 Bestand: [Dieses Werk gibt es inhaltsgleich auch in digitaler Form.] Bereitstellung in Leipzig |
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