Katalog der Deutschen Nationalbibliothek
Ergebnis der Suche nach: "1717"
Treffer 14 von 154
|
|
| Link zu diesem Datensatz | https://d-nb.info/1363770500 |
| Titel | Modelling and Evalaution of the Bidirectional Surge Current Robustness of Si(-IGBT and -Diode), SiC(-MOSFETs and -JFET) and GaN(-HEMTs) Devices / Dominik Nehmer, Tim Ringelmann, Mark-M. Bakran |
| Person(en) |
Nehmer, Dominik (Verfasser) Ringelmann, Tim (Verfasser) Bakran, Mark-M. (Verfasser) |
| Verlag | Bayreuth : Universität Bayreuth |
| Zeitliche Einordnung | Erscheinungsdatum: 2024 |
| Umfang/Format | Online-Ressource (pdf) |
| Persistent Identifier |
URN: urn:nbn:de:bvb:703-epub-8396-6 DOI: doi:10.3390/en17174362 |
| URL | https://epub.uni-bayreuth.de/id/eprint/8396/ (Verlag) (kostenfrei zugänglich) |
| Sprache(n) | Englisch (eng) |
| Anmerkungen | In: Energies 2024, 17(17), 4362; https://doi.org/10.3390/en17174362 |
| DDC-Notation | 621.381528 (maschinell ermittelte DDC-Kurznotation) |
| Sachgruppe(n) | 621.3 Elektrotechnik, Elektronik |
| Online-Zugriff | Archivobjekt öffnen |
Treffer 14 von 154
Administration
