Katalog der Deutschen Nationalbibliothek

Neuigkeiten Donnerstag, 11. September 2025: Die Deutsche Nationalbibliothek öffnet wegen eines Beschäftigtentreffens an beiden Standorten erst um 15 Uhr. // Thursday, 11 September 2025: The German National Library will not open until 15:00 due to a staff meeting at both locations.
 
Neuigkeiten Vom 10. September 2025, 13 Uhr, bis 11. September 2025, 22 Uhr, kann es zu Einschränkungen bei der Bereitstellung von Medienwerken kommen. Wir informieren Sie per E-Mail über den aktuellen Stand Ihrer Bestellungen. // From 13:00 on 10 September 2025 until 22:00 on 11 September 2025, there may be restrictions on the provision of media works. We will inform you by email about the current status of your orders.
 
 

Ergebnis der Suche nach: dcs=530.4*

Zurück zur Trefferliste


Treffer 1345 von 1817 < < > <



Online Ressourcen
Link zu diesem Datensatz https://d-nb.info/986034002
Art des Inhalts Hochschulschrift
Titel Metal-semiconductor transition materials : FeS and VO2 thin films by RF reactive sputtering / von Ganhua Fu
Person(en) Fu, Ganhua (Verfasser)
Zeitliche Einordnung Erscheinungsdatum: 2007
Umfang/Format Online-Ressource, ca. 4,9 MB
Andere Ausgabe(n) Erscheint auch als Druck-Ausgabe: Fu, Ganhua: Metal-semiconductor transition materials
Hochschulschrift Gießen, Univ., Diss., 2007
Persistent Identifier URN: urn:nbn:de:hebis:26-opus-48015
URL http://geb.uni-giessen.de/geb/volltexte/2007/4801/pdf/FuGanhua-2007-07-13.pdf (Verlag) (kostenfrei zugänglich)
http://geb.uni-giessen.de/geb/volltexte/2007/4801/index.html (Verlag)
Sprache(n) Englisch (eng)
DDC-Notation 530.4175 [DDC22ger]
Sachgruppe(n) 530 Physik

Online-Zugriff Archivobjekt öffnen




Treffer 1345 von 1817
< < > <




Aktionen

Aktionen


E-Mail-IconKorrekturanfrage

E-Mail-IconAdministration