Katalog der Deutschen Nationalbibliothek
Ergebnis der Suche nach: "Trade-off"
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| Link zu diesem Datensatz | https://d-nb.info/1356852157 |
| Titel | Gate Layout and Process Reliability Co‐Optimization in High‐Speed Vertical III–V Nanowire Metal‐Oxide‐Semiconductor Field‐Effect Transistor Technology |
| Person(en) |
Sandberg, Marcus E. (Verfasser) Löfstrand, Anette (Verfasser) Svensson, Johannes (Verfasser) Fhager, Lars (Verfasser) |
| Umfang/Format | Online-Ressource (pdf) |
| Persistent Identifier |
URN: urn:nbn:de:101:1-2502191308325.379847222640 DOI: 10.1002/pssa.202400690 |
| URL | https://doi.org/10.1002/pssa.202400690 |
| Zeitliche Einordnung | Erscheinungsdatum: 18.02.2025 |
| Sprache(n) | Englisch (eng) |
| Beziehungen | Enthalten in: Physica status solidi / A / Applications and materials science (18.02.2025. 6 S.) |
| Online-Zugriff | Archivobjekt öffnen |
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